Diodo de propósito general de alta velocidad, 4 ns, 4 pF, 200 mA, 100 V. Original
Diodo de propósito general de alta velocidad, 4 ns, 2.5 pF, 200 mA, 50 V. Original
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y mezcladores de RF, 450 MHz, VDG = 25 V, VGS = 25V, IGF = 10 mA, PD = 360 mW. Original
Transistor PNP de propósito general. IC: 600 mA, PTOT: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V, FT : 200 MHz
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 25 V, VGS = -25 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 30 V, VGS = 30 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW. Original
Transistor MOSFET de baja potencia, canal N, VDS 60 V, RDS 1.8 Ω, ID 200 mA, PW 400 mW. Original
Cuádruple buffer tri-estado no inversor (YES), habilitadores negados. TTL
Diodo de alto voltaje para pequeña señal, 50 ns, 1.5 pF, 250 mA, 200 V continuo, 250 V pico repetitivo, transiente de corriente pico 1 A, 500 mW. Original
Transistor PNP de propósito general. IC: 800 mA, PD: 625 mW, VCEO: 45 V, VCES: 50V, VEBO: 5 V, encapsulado TO-92.
Transistor NPN de propósito general. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 65 V, VCBO: 80 V, VEBO: 6 V, FT : 300 MHz. TO-92. Original
Transistor NPN de propósito general. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 6 V, FT : 300 MHz. TO-92. Original
Transistor NPN de bajo ruido. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 5 V, FT : 300 MHz. Original
Transistor PNP de propósito general. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 65 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V, FT : 150 MHz. TO-92. Original
Transistor PNP de propósito general. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V, FT : 150 MHz. Original