NTE Electronics Inc. provee la serie de reemplazos de semiconductores mas amplia del mundo y otros componentes, suministros y herramientas para electrónica
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Transistor NPN de propósito general. IC: 800 mA, PD: 500 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 75 V, VEBO: 6 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-18. Original
Transistor NPN de potencia. IC: 15 A, PD: 115 W, VCEO: 60 V, VCBO: 100 V, VEBO: 7 V, fT: 2.5 MHz, encapsulado TO-3. Original
Transistor de unijuntura (UJT), 50 mA, 30 V, 300 mW, corriente pico Ip 1 μA, RBB 6 kΩ, η 0.56 a 0.76, Iv 5 mA. Original.
Transistor de unijuntura programable (PUT), 150 mA, 40 V, 300 mW, corriente pico Ip típica 0.7 μA. Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias. Original
Cerrojo de 4 bits y decodificador de 4 a 16 lineas, salida seleccionada se indica con nivel alto. CMOS. Encapsulado DIP. Original
Unidad logica aritmetica (ALU) de 4 bits, 16 fuciones aritmeticas y 16 funciones logicas. TTL. Encapsulado DIP. Original
Decodificador / demultiplexor de 4 a 16 líneas, 2 entradas de habilitación. CMOS. Encapsulado DIP. Original. Parte descontinuada, no recomendada para nuevos diseños
Unidad logica aritmetica (ALU) de 4 bits, 16 fuciones aritmeticas y 16 funciones logicas. TTL. Encapsulado DIP. Original
Arandelas ó cojinetes aisladores para encapsulados TO-220 y TO-218 seleccionables mediante menú desplegable. Permiten aislar eléctricamente el tornillo de sujeción al disipador de calor del cuerpo del semiconductor, y en conjunto con un pad aislante de mica o fibra de vidrio/silicona permitirán aislar eléctricamente el disipador de calor del semiconductor
Capacitor electrolítico de corriente alterna para el arranque de motores y otras aplicaciones intermitentes de alterna, 216 uF / 259 uF, 220 VAC / 250 VAC, 47 Hz a 60 Hz, -40 ºC a +65 ºC
Serie de descargadores de sobretensión o protectores contra sobrecargas (Surge arresters) rellenos de gas, tiempo de respuesta < 100 ns, en varios valores de voltaje nominal de 75 VDC a 600 VDC y además de 120 VAC y 240 VAC seleccionables mediante menú desplegable.
Serie de fotoresistencias de diámetros 5 mm, 12 mm y 20 mm en varios rangos de resitencia para cada diámetro seleccionables mediante menú despleglable, potencia 90 mW a 500 mW, 540 nm y 560 nm
Transistor PNP de potencia. IC: 15 A, PD: 115 W, VCEO: 60 V, VCBO: 100 V, VEBO: 7 V, fT: 2.5 MHz, encapsulado TO-3. Original
Transistor NPN de alta frecuencia y bajo ruido para aplicaciones UHF. IC: 70 mA, PD: 500 mW, VCEO: 12 V, VCBO: 20 V, VEBO: 3 V, fT: 5 GHz, encapsulado TO-92. Original
Transistor de germanio PNP para conmutación, IC: 150 mA, PD: 150 mW, VCBO: 25 V, VCES: 24 V, VEBO: 12 V, encapsulado TO-5. Original
Transistor de germanio PNP para amplificación, IC: 1 A, PD: 650 mW, VCBO: 32 V, VEBO: 10 V, encapsulado TO-1. Original.