Tiristores como SCR's, Triacs, GTO's, Diacs, entre otros.
Subcategories
Silicon Controlled Rectifiers - SCR
Triodes for Alternating Current - TRIAC's
Other thyristors like GTO, DIAC, SIDAC, ITR, SBS, SCS, SUS, PUT, UJT, among others
Unijunction transistor (UJT), 50 mA, 30 V, 300 mW, peak-point current Ip 1 μA, RBB 6 kΩ, η 0.56 a 0.76, Iv 5 mA. TO-92. Original.
Transistor de unijuntura programable (PUT), 150 mA, 40 V, 300 mW, corriente pico Ip típica 4 μA. Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias. Original. Parte obsoleta, para nuevos diseños utilizar el 2N6028 ó el NTE6402
Transistor de unijuntura programable (PUT), 150 mA, 40 V, 300 mW, corriente pico Ip típica 0.7 μA. Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias. Original
SCR de 25 A y 800 V, sensibilidad de compuerta 30 mA, encapsulado TO-220AB. Original
1 A and 600 V triac, non-repetitive peak on-state current: 12.5 A, high sensitive gate. Original
1 A and 800 V triac, non-repetitive peak on-state current: 12.5 A, high sensitive gate. Original
Triac de 4 A y 600 V, corriente pico no repetitiva: 25 A, compuerta de alta sensibilidad. Original
Triac de 4 A y 800 V, corriente pico no repetitiva 25 A, compuerta de alta sensibilidad. Original
Triac de 8 A y 600 V, corriente pico no repetitiva: 65 A, compuerta de alta sensibilidad. Original
16 A and 600 V triac, non-repetitive peak on-state current 155 A, high sensibility. Original
16 A and 800 V triac, non-repetitive peak on-state current 160 A, low sensibility, high noise immunity, IITO-220 package isolated mounting base with 2500 V (RMS) isolation, high junction operating temperature capability: 150 ºC. Original
Triac de 25 A y 600 V, corriente pico no repetitiva: 250 A, alta inmunidad al ruido, soporta altos dI/dt y dV/dt. Original
Diac (Diodo de corriente alterna o bidireccional) de 32 V, 2 A, 150 mW. Original