Dual operational amplifier, 3 MHz bandwidth, Latch-Up free, phase and gain match between amplifiers, internally frequency compensated, low noise inputs, low power consumption, large common mode and differential voltage range. DIP package. Original
Transistor NPN para audio y osciladores. IC: 150 mA, PD: 400 mW, VCEO: 50 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 80 MHz, encapsulado TO-92. Original
Transistor NPN para amplificación de audio y osciladores de alta frecuencia. IC: 150 mA, PD: 250 mW, VCEO: 50 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-92. Original
Amplificador operacional cuádruple de propósito general. No requiere fuente dual. Alta ganancia, bajo consumo de potencia, ancho de banda 1.2 MHz. Original
Referencia de voltaje de precisión de 2.5 V, tolerancia 1%, puede operar como referencia positiva o negativa, bajo coeficiente de temperatura, fácil de ajustar para deriva mínima por temperatura. Original
Regulador de voltaje ajustable negativo de -1.25 V a -37 V y 1.5 A de corriente.
Dual voltage comparator, low input bias current, low input offset voltage and current, low power consumption, wide range supply voltages. SOIC package. Original
Temporizador (monoestable) que además puede ser configurado como oscilador (astable), frecuencia > 500 kHz
Transistor NPN de propósito general de potencia. IC: 10 A, PD: 75 W, VCEO: 60 V, VCBO: 70 V, VEBO: 5 V, fT: 2 MHz, encapsulado TO-220.
Transistor NPN de media potencia y alto voltaje. IC: 0.5 A, PTOT: 20 W, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V. Original
Transistor PNP de media potencia y alto voltaje. IC: 0.5 A, PTOT: 20 W, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V. Original
Random phase optocoupler with fototriac, 15 mA LED trigger current, 250 V output voltage, 5.3 kV isolation voltage. DIP package. Original
Optoacoplador con detección de cruce por cero y salida a fototriac, voltaje de salida 400 V, voltaje de aislamiento 7500 V AC pico. Original
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 25 V, VGS = -25 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW. Original
Transistor NPN de propósito general. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-92. Original
Transistor NPN de audio y propósito general, excelente linealidad. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 20 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V, encapsulado TO-92. Original
Transistor NPN de alta ganancia y buena linealidad, bajo ruido. IC: 100 mA, PD: 450 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V, fT: 270 MHz, encapsulado TO-92. Original