NTE Electronics Inc. provee la serie de reemplazos de semiconductores mas amplia del mundo y otros componentes, suministros y herramientas para electrónica
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Transistor NPN de propósito general. IC: 800 mA, PD: 500 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 75 V, VEBO: 6 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-18. Original
High power NPN transistor. IC: 15 A, PD: 115 W, VCEO: 60 V, VCBO: 100 V, VEBO: 7 V, fT: 3 MHz, TO-3 package. Original
Unijunction transistor (UJT), 50 mA, 30 V, 300 mW, peak-point current Ip 1 μA, RBB 6 kΩ, η 0.56 a 0.76, Iv 5 mA. TO-92. Original.
Transistor de unijuntura programable (PUT), 150 mA, 40 V, 300 mW, corriente pico Ip típica 0.7 μA. Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias. Original
Cerrojo de 4 bits y decodificador de 4 a 16 lineas, salida seleccionada se indica con nivel alto. CMOS. Original
Arithmetic logic unit (ALU), 4 bits, 16 arithmetic functions and 16 logic functions. TTL. DIP package. Original
4-Line to 16-Line decoder / demultiplexer, 2 enable inputs. CMOS. DIP package. Original. Discontinued part, no recommended for new designs
Arithmetic logic unit (ALU), 4 bits, 16 arithmetic functions and 16 logic functions. TTL. DIP package. Original
Insulating washers or bushings for TO-220 and TO-218 packages selectable by drop-down menu. It allow electrically isolating the fastening screw to the heat sink from the semiconductor body, and in conjunction with an insulating pad of mica or fiberglass/silicone it will electrically isolate the heat sink from the semiconductor
Serie de descargadores de sobretensión o protectores contra sobrecargas (Surge arresters) rellenos de gas, tiempo de respuesta < 100 ns, en varios valores de voltaje nominal de 75 VDC a 600 VDC y además de 120 VAC y 240 VAC seleccionables mediante menú desplegable.
Serie de fotoresistencias de diámetros 5 mm, 12 mm y 20 mm en varios rangos de resitencia para cada diámetro seleccionables mediante menú despleglable, potencia 90 mW a 500 mW, 540 nm y 560 nm
High power PNP transistor. IC: 15 A, PD: 115 W, VCEO: 60 V, VCBO: 100 V, VEBO: 7 V, fT: 2.5 MHz, TO-3 package. Original
AC electrolytic capacitors for motor start and other intermitent AC applications, 216 uF / 259 uF, 220 VAC / 250 VAC, 47 Hz to 60 Hz, -40 ºC a +65 ºC
High frequency and low noise NPN transistor for UHF applications. IC: 70 mA, PD: 500 mW, VCEO: 12 V, VCBO: 20 V, VEBO: 3 V, fT: 5 GHz, TO-92 package. Original
Transistor de germanio PNP para conmutación, IC: 150 mA, PD: 150 mW, VCBO: 25 V, VCES: 24 V, VEBO: 12 V, encapsulado TO-5. Original
Transistor de germanio PNP para amplificación, IC: 1 A, PD: 650 mW, VCBO: 32 V, VEBO: 10 V, encapsulado TO-1. Original.