NTE Electronics Inc. provee la serie de reemplazos de semiconductores mas amplia del mundo y otros componentes, suministros y herramientas para electrónica
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Transistor de germanio NPN para conmutación, IC: 150 mA, PD: 150 mW, VCBO: 25 V, VCES: 24 V, VEBO: 12 V, encapsulado TO-5. Original
Diodo de germanio, propósito general, alta velocidad, alta conductancia, buenas características de suicheo, 60 mA, 80 V. Original
Transistor NPN de propósito general. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V, fT: 250 MHz, encapsulado TO-92. Original
Medidor de voltajes análogos y driver de diez LED's individuales o de displays a LED, LCD o fluorescente, visualización modo barra o modo punto, escala logarítmica (Pasos de 3 dB), varias unidades pueden conectarse en cascada para aumentar el número de LED's. Original
Transistor PNP de propósito general. IC: 800 mA, PD: 625 mW, VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V, encapsulado TO-92. Original
High frequency NPN transistor for AM/FM/IF amplification and local oscillator of FM/VHF tuners. IC: 50 mA, PD: 425 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 3 V, fT: 500 MHz, TO-92 package. Original
High power NPN transistor for general and high fidelity audio amplification. IC: 15 A, PD: 150 W, VCEO: 200 V, VCBO: 200 V, VEBO: 5 V, fT: 25 MHz, TO-3PBL package. Original
High power PNP transistor for general and high fidelity audio amplification. IC: 15 A, PD: 150 W, VCEO: 200 V, VCBO: 200 V, VEBO: 5 V, fT: 25 MHz, TO-3PBL package. Original
Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 20 ns y tOFF 350 ns, VDS 900 V, ID 8 A, RDS 1.2 Ω, PW 150 W, diodo damper. Incluye aislante de mica. Original
Power MOSFET transistor, N-Channel, enhancement mode, high speed tON 30 ns y tOFF 80 ns, RDS 0.18 Ω, VDS 200 V, ID 18 A, PW 125 W, damper diode. Original
Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 130 ns y tOFF 440 ns, VDS 500 V, RDS 0.5 Ω, ID 10 A, PW 125 W, diodo damper. Incluye aislante de mica. Original
Power MOSFET transistor, N-Channel, enhancement mode, high speed tON 13 ns y tOFF 40 ns, RDS 0.077 Ω, VDS 100 V, ID 28 A, PW 150 W, damper diode. Original
NPN Darlington transistor for general purpose amplification and low speed switching. IC: 10 A, PTOT: 65 W, VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original