NTE Electronics Inc. provee la serie de reemplazos de semiconductores mas amplia del mundo y otros componentes, suministros y herramientas para electrónica
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Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 20 ns y tOFF 350 ns, VDS 900 V, ID 8 A, RDS 1.2 Ω, PW 150 W, diodo damper. Incluye aislante de mica. Original
Power MOSFET transistor, N-Channel, enhancement mode, high speed tON 30 ns y tOFF 80 ns, RDS 0.18 Ω, VDS 200 V, ID 18 A, PW 125 W, damper diode. Original
Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 130 ns y tOFF 440 ns, VDS 500 V, RDS 0.5 Ω, ID 10 A, PW 125 W, diodo damper. Incluye aislante de mica. Original
Power MOSFET transistor, N-Channel, enhancement mode, high speed tON 13 ns y tOFF 40 ns, RDS 0.077 Ω, VDS 100 V, ID 28 A, PW 150 W, damper diode. Original
NPN Darlington transistor for general purpose amplification and low speed switching. IC: 10 A, PTOT: 65 W, VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original
PNP Darlington transistor for general purpose amplification and low speed switching. IC: 10 A, PTOT: 65 W, VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original
High voltage NPN transistor. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 6 V, fT: 50 MHz, TO-92. Original
High voltage PNP transistor. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V, fT: 50 MHz, TO-92. Original
Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 45 ns y tOFF 325 ns, VDS 900 V, ID 14 A, RDS 0.63 Ω, PW 275 W, diodo damper. Original
Transistor NPN de alto voltaje para la amplificación de audio y barrido vertical en video. IC: 1 A, PTOT: 900 mW, VCEO: 160 V, VCBO: 160 V, VEBO: 6 V, fT: 100 MHz, Giant TO-92 . Original
Transistor PNP de alto voltaje para la amplificación de audio y barrido vertical en video. IC: 1 A, PTOT: 900 mW, VCEO: 160 V, VCBO: 160 V, VEBO: 6 V, fT: 50 MHz, Giant TO-92 . Original
High power NPN transistor for audio amplification. IC: 12 A, PD: 100 W, VCEO: 140 V, VCBO: 160 V, VEBO: 6 V, fT: 15 MHz, TO-3P package. Original
High power PNP transistor for audio amplification. IC: 12 A, PD: 100 W, VCEO: 140 V, VCBO: 160 V, VEBO: 6 V, fT: 15 MHz, TO-3P package. Original
Medium power NPN transitor, for audio amplification and driver. IC: 3 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz. TO-126 package. Original
Medium power PNP transitor, for audio amplification and driver. IC: 3 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz. TO-126 package. Original
General purpose PNP transistor. IC: 10 A, PTOT: 50 W, VCEO: 80 V, VEBO: 5 V. Original
High voltage NPN transistor for audio amplification. IC: 1 A, PTOT: 900 mW, VCEO: 100 V, VCBO: 120 V, VEBO: 5 V, fT: 140 MHz, Giant TO-92. Original