Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y mezcladores de RF y , VDG = 25 V, VGS = 25V, IGF = 10 mA, PD = 360 mW. Original
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 25 V, VGS = -25 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 30 V, VGS = -30 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW. Original
N-Channel JFET transistor, for VHF/UHF amplification, oscillators and mixers, VDG = 30 V, VGS = -30 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW. Original
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = 35 V, VGS = -35 V, IGF = 50 mA, PD = 625 mW, 30 Ω. Encapsulado TO-92. Original
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = 35 V, VGS = -35 V, IGF = 50 mA, PD = 625 mW, 50 Ω. Encapsulado TO-92. Original
P-Channel JFET transistor, for amplification, Sample & Hold and switching, VDG = -30 V, VGS = 30 V, IGF = 50 mA, PD = 350 mW, 125 Ω. Original
N-Channel JFET transistor, for VHF/UHF amplification, oscillators and mixers, VDS 25 V, VGS 25 V, IGF 10 mA, PD 350 mW
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 25 V, VGS = -25 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW. Original
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