Transistores de efecto de campo semiconductor de metal-óxido (MOSFET)
Transistor MOSFET de potencia, canal N, BVDSS 100 V, RDS 0.18 Ω, ID 14 A, PW 75 W, tecnología HEXFET®
Transistor MOSFET de baja potencia, canal N, VDS 60 V, RDS 1.8 Ω, ID 200 mA, PW 400 mW. Original
Arreglo de 2 pares de transistores MOSFET complementarios + 1 inversor de MOSFET's. Alimentación 3 V a 18 V. Tecnología CMOS. Original
Transistor MOSFET, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 20 ns y tOFF 20 ns, VDS 50 V, RDS 3.5 Ω, ID 200 mA, PW 225 mW, diodo damper. Original
Transistor MOSFET, canal N, modo de enriquecimiento, muy alta velocidad tON 2 ns y tOFF 9 ns, VDS 60 V, RDS 1 Ω, ID 360 mA, PW 350 mW, diodo damper. Original
Par de transistores MOSFET complementarios (N y P) de baja potencia, VDS 20 V, RDS 66 mΩ típica (N) 145 mΩ típica (P), ID 3 A (N) 2.2 A (P), PW 900 mW. Encapsulado SMD/SMT SSOT-6. Original
Transistor MOSFET de potencia, canal P, VDSS 60 V, RDS 0.07 Ω, ID 27 A, PW 120 W, ton 18 ns, toff 30 ns. Original
Driver de transistores MOSFET e IGBT, alta velocidad ton 120 ns toff 94 ns, salida 2 A 10 V a 20 V, canales flotantes de alto voltaje a hasta 525 V y de bajo voltaje, entradas Schmitt-trigger compatibles con CMOS y LSTTL, alimentación separada para la lógica de 3.3 V a 20 V, PD 1.6 W. Encapsulado PDIP 14 pines. Original
Transistor MOSFET de potencia, canal N, VDS 100 V, RDS 0.27 Ω, ID 9.2 A, PW 60 W. Original
N-Channel MOSFET transistor. VDS 100 V, ID 33 A, PW 130 W, RDS(on) 44 mΩ, tON 11 ns and tOFF 39 ns, damper diode. Original
MOSFET de potencia canal N. VDSS 200 V, RDS(on) 0.15 Ω, ID 18 A, PW 150 W. Original
Transistor MOSFET de potencia, canal N, VDS 400 V, RDS 1 Ω, ID 5.5 A, PW 74 W. Original
MOSFET de potencia canal N. VDSS 400 V, RDS(on) 0.55 Ω, ID 10 A, PW 134 W. Original
MOSFET power transistor, N-Channel, VDS 500 V, RDS 1.5 Ω, ID 4.5 A, PW 74 W. Original
MOSFET power transistor, N-Channel, VDS 500 V, RDS 0.85 Ω, ID 8 A, PW 125 W. Original
Transistor MOSFET de potencia, canal P, VDS 200 V, RDS 0.8 Ω, ID 6.5 A, PW 74 W
N-Channel MOSFET transistor. VDS 200 V, ID 65 A, PW 330 W, RDS(on) 19.7 mΩ, tON 33 ns and tOFF 21 ns, damper diode. Original
Transistor MOSFET de potencia, canal N, tecnología HEXFET™, alta velocidad tON 13 ns y tOFF 40 ns, VDS 60 V, ID 55 A, RDS 16.5 mΩ, PW 115 W, diodo damper. Original