2N3819
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Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y mezcladores de RF y , VDG = 25 V, VGS = 25V, IGF = 10 mA, PD = 360 mW. Original
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Availability date: 10/28/2019
Fabricante: Central Semiconductor
Características:
Equivalentes: NTE312
Nota: Para reemplazar el 2N3819 fabricado por ON y Vishay Siliconix, rote el dispositivo 180º debido a que la organización de pines difiere con la del 2N3819 de Central Semiconductor, Philips y Fairchild