2N2907A / NJS2N2907A
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Transistor PNP de propósito general. IC: 600 mA, PD: 1.8 W, VCEO: 60 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 200 MHz, encapsulado TO-18
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Availability date:
Fabricante: Micro Electronics, New Jersey Semiconductor
Características:
Hoja de datos Micro electronics:
Hoja de datos NJS: Aquí
Equivalentes: NTE159M, 2N2907A TIN/LEAD, 2N2907A PBFREE, JAN2N2907A, JANTX2N2907A, entre otros
COP$ 870
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