Transistores bipolares de compuerta aislada ó IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Módulo IGBT, dual, 1200 V, 300 A. Original. Producto por encargo, se envia de 7 a 9 días
Módulo IGBT, 1200 V, 400 A. Original. Producto por encargo, se envia de 7 a 9 días
Driver de transistores MOSFET e IGBT, alta velocidad ton 120 ns toff 94 ns, salida 2 A 10 V a 20 V, canales flotantes de alto voltaje a hasta 525 V y de bajo voltaje, entradas Schmitt-trigger compatibles con CMOS y LSTTL, alimentación separada para la lógica de 3.3 V a 20 V, PD 1.6 W. Encapsulado PDIP 14 pines. Original
Software gratuito NTE QUICKCross. Descárguelo en la descripción ampliada debajo. Proporciona referencias cruzadas de más de 525.000 dispositivos a 4.600 dispositivos NTE: Semiconductores, optoelectrónicos, relés, potenciómetros, trimmers, dials, resistores, suiches, fusibles, termistores, varistores, puntas de cautín, puntas de prueba, ventiladores,...
Transistor IGBT, IC: 10 A a 100 ºC, PTOT: 65 W, VCES: 600 V, diodo damper. Original
Driver de transistores MOSFET e IGBT, alta velocidad tD 55 ns tr 25 ns tf 25 ns, salida 6 A 4.5 V a 18 V, salida sencilla, entrada compatibles con CMOS y TTL, salida en fase con la entrada, alimentación 4.5 V a 18 V, PD 730 mW. Encapsulado DIP. Original
Driver de transistores MOSFET e IGBT, alta velocidad tD 55 ns tr 25 ns tf 25 ns, salida 6 A 4.5 V a 18 V, salida sencilla, entrada compatibles con CMOS y TTL, salida invertida con la entrada, alimentación 4.5 V a 18 V, PD 730 mW. Encapsulado DIP. Original.