Transistor NPN de propósito general. IC: 700 mA, PD: 5 W, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-39. Original
Transistor NPN para RF. IC: 400 mA, PD: 1 W, VCEO: 20 V, VCBO: 40 V, VEBO: 3 V, fT: 1.2 GHz, encapsulado TO-39. Original
Transistor PNP de propósito general. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 200 MHz, encapsulado TO-92. Original