Transistores de unión bipolar (BJT) Darlington (BJT's en tándem)
Transistor Darlington NPN de propósito general. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 10 V, fT: 125 MHz, encapsulado TO-92.
Transistor Darlington NPN para amplificación de propósito general y conmutación de baja velocidad. IC: 10 A, PTOT: 65 W, VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original
Transistor Darlington PNP para amplificación de propósito general y conmutación de baja velocidad. IC: 10 A, PTOT: 65 W, VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original
Transistor Darlington NPN de propósito general, media potencia. IC: 8 A, PTOT: 80 W, VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V.
Transistor Darlington NPN de propósito general. IC: 5 A, PTOT: 65 W, VCEO: 60 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V. TO-220AB. Original
Transistor Darlington NPN de propósito general. IC: 5A, PTOT: 65W, VCEO: 100V, VCBO: 100V, VEBO: 5V. Original
Transistor Darlington PNP de propósito general. IC 5 A, PTOT 65 W, VCEO 100 V, VCBO 100 V, VEBO 5 V. Encapsulado TO-220. Original
Arreglo de 8 transistores Darlington, c/u capaz de manejar 0.5A y 50V. Con diodos de protección de voltaje inverso para manejar cargas inductivas. Entradas compatibles TTL y CMOS de 5 V. Original
Arreglo de 8 transistores Darlington, c/u capaz de manejar 0.5A y 50V. Con diodos de protección de voltaje inverso para manejar cargas inductivas. Entradas compatibles CMOS y PMOS de 6 V a 15 V.