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  • COP$ 650 En stock

    Transistor PNP de propósito general. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 5 V, FT : 150 MHz. Original

    COP$ 650
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  • COP$ 741 En stock

    Transistor PNP de bajo ruido. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 5 V, FT : 150 MHz. Original

    COP$ 741
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  • COP$ 1.480 En stock

    Transistor PNP de media potencia. IC: 1.5 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 45 V, VCBO: 45 V, VEBO: 5 V. Original

    COP$ 1.480
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  • COP$ 1.000 En stock

    Transistor PNP de media potencia. IC: 1.5 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V. Original

    COP$ 1.000
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  • COP$ 3.200 En stock

    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación VHF/UHF, osciladores y mezcladores, VDG = 30 V, VGS = -30 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW. Original

    COP$ 3.200
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  • COP$ 1.075 En stock

    Puente de diodos rectificador de 1.5 A, 800 V

    COP$ 1.075
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  • COP$ 150 En stock

    Diodos zener en varios valores de voltaje desde 2 V hasta 47 V y en potencias de 0.5 W (1/2 W), 1 W y 5 W, seleccionables en menú desplegable. Originales

    COP$ 150
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  • COP$ 2.300 En stock

    Par de transistores MOSFET complementarios (N y P) de baja potencia, VDS 20 V, RDS 66 mΩ típica (N) 145 mΩ típica (P), ID 3 A (N) 2.2 A (P), PW 900 mW. Encapsulado SMD/SMT SSOT-6. Original

    COP$ 2.300
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  • COP$ 104 En stock

    Diodo de propósito general de alta velocidad, 4 ns, 200 mA, 100 V. SMD

    COP$ 104
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  • COP$ 6.200 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal P, VDSS 60 V, RDS 0.07 Ω, ID 27 A, PW 120 W, ton 18 ns, toff 30 ns. Original

    COP$ 6.200
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  • COP$ 1.900 En stock

    Optoacoplador con entrada AC y salida a fototransistor, conexión a base disponible, voltaje de aislamiento 7500 V AC pico. Original

    COP$ 1.900
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  • COP$ 2.500 En stock

    MOSFET de potencia canal N. VDSS 400 V, RDS(on) 0.55 Ω, ID 10 A, PW 134 W. Original

    COP$ 2.500
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  • COP$ 1.787 En stock

    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = 35 V, VGS = -35 V, IGF = 50 mA, PD = 625 mW, 30 Ω. Encapsulado TO-92. Original

    COP$ 1.787
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  • COP$ 1.450 En stock

    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = 35 V, VGS = -35 V, IGF = 50 mA, PD = 625 mW, 50 Ω. Encapsulado TO-92. Original

    COP$ 1.450
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  • COP$ 1.570 En stock

    Transistor JFET canal P, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = -30 V, VGS = 30 V, IGF = 50 mA, PD = 350 mW, 125 Ω. Original

    COP$ 1.570
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  • COP$ 1.450 Fuera de stock

    Transistor JFET canal P, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = -30 V, VGS = 30 V, IGF = 50 mA, PD = 350 mW, 250 Ω. Original

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  • COP$ 18.600 En stock

    Conversor de voltaje a frecuencia y frecuencia a voltaje, 1 Hz a 100 kHz, alta linealidad. Original.

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  • COP$ 1.600 En stock

    Amplificador operacional doble, ancho de banda 3 MHz, libre de Latch-Up, fase y ganancia emparejados en los dos AO's, compensado en frecuencia, entradas de bajo ruido, bajo consumo de potencia, amplio rango de voltaje de entrada en modo común y diferencial. Encapsulado DIP. Original

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