Transistor PNP de propósito general. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 5 V, FT : 150 MHz. Original
Transistor PNP de bajo ruido. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 5 V, FT : 150 MHz. Original
Transistor PNP de media potencia. IC: 1.5 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 45 V, VCBO: 45 V, VEBO: 5 V. Original
Transistor PNP de media potencia. IC: 1.5 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V. Original
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación VHF/UHF, osciladores y mezcladores, VDG = 30 V, VGS = -30 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW. Original
Diodos zener en varios valores de voltaje desde 2 V hasta 47 V y en potencias de 0.5 W (1/2 W), 1 W y 5 W, seleccionables en menú desplegable. Originales
Par de transistores MOSFET complementarios (N y P) de baja potencia, VDS 20 V, RDS 66 mΩ típica (N) 145 mΩ típica (P), ID 3 A (N) 2.2 A (P), PW 900 mW. Encapsulado SMD/SMT SSOT-6. Original
Transistor MOSFET de potencia, canal P, VDSS 60 V, RDS 0.07 Ω, ID 27 A, PW 120 W, ton 18 ns, toff 30 ns. Original
Optoacoplador con entrada AC y salida a fototransistor, conexión a base disponible, voltaje de aislamiento 7500 V AC pico. Original
MOSFET de potencia canal N. VDSS 400 V, RDS(on) 0.55 Ω, ID 10 A, PW 134 W. Original
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = 35 V, VGS = -35 V, IGF = 50 mA, PD = 625 mW, 30 Ω. Encapsulado TO-92. Original
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = 35 V, VGS = -35 V, IGF = 50 mA, PD = 625 mW, 50 Ω. Encapsulado TO-92. Original
Transistor JFET canal P, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = -30 V, VGS = 30 V, IGF = 50 mA, PD = 350 mW, 125 Ω. Original
Conversor de voltaje a frecuencia y frecuencia a voltaje, 1 Hz a 100 kHz, alta linealidad. Original.
Amplificador operacional doble, ancho de banda 3 MHz, libre de Latch-Up, fase y ganancia emparejados en los dos AO's, compensado en frecuencia, entradas de bajo ruido, bajo consumo de potencia, amplio rango de voltaje de entrada en modo común y diferencial. Encapsulado DIP. Original