Transistor NPN para audio y osciladores. IC: 150 mA, PD: 400 mW, VCEO: 50 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 80 MHz, encapsulado TO-92. Original
Transistor NPN para amplificación de audio y osciladores de alta frecuencia. IC: 150 mA, PD: 250 mW, VCEO: 50 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-92. Original
Amplificador operacional cuádruple de propósito general. No requiere fuente dual. Alta ganancia, bajo consumo de potencia, ancho de banda 1.2 MHz. Encapsulado DIP. Original
Referencia de voltaje de precisión de 2.5 V, tolerancia 1%, puede operar como referencia positiva o negativa, bajo coeficiente de temperatura, fácil de ajustar para deriva mínima por temperatura. Original
Regulador de voltaje ajustable negativo de -1.25 V a -37 V y 1.5 A de corriente.
Doble comparador de voltaje, baja corriente de entrada, bajo offset de voltaje y corriente de entrada, bajo consumo, amplio voltaje de alimentación. Encapsulado SMD SOIC. Original
Temporizador (monoestable) que además puede ser configurado como oscilador (astable), frecuencia > 500 kHz. Original
Optoacoplador con fototransistor, voltaje de aislamiento 5000 V, CTR 50 a 600 %. Original
Transistor NPN de propósito general de potencia. IC: 10 A, PD: 75 W, VCEO: 60 V, VCBO: 70 V, VEBO: 5 V, fT: 2 MHz, encapsulado TO-220. Original
Transistor NPN de media potencia y alto voltaje. IC: 0.5 A, PTOT: 20 W, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V. Original
Transistor PNP de media potencia y alto voltaje. IC: 0.5 A, PTOT: 20 W, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V. Original
Optoacoplador de fase aleatoria con fototriac, corriente de disparo 15 mA, voltaje de salida 250 V, voltaje de aislamiento 5.3 kV. Encapsulado DIP. Original
Optoacoplador con detección de cruce por cero y salida a fototriac, voltaje de salida 400 V, voltaje de aislamiento 7500 V AC pico. Original
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 25 V, VGS = -25 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW. Original
Transistor NPN de propósito general. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-92. Original
Transistor NPN de audio y propósito general, excelente linealidad. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 20 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V, encapsulado TO-92. Original
Transistor NPN de alta ganancia y buena linealidad, bajo ruido. IC: 100 mA, PD: 450 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V, fT: 270 MHz, encapsulado TO-92. Original