Transistor MOSFET, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 20 ns y tOFF 20 ns, VDS 50 V, RDS 3.5 Ω, ID 200 mA, PW 225 mW, diodo damper. Original
Triac de 25 A y 600 V, corriente pico no repetitiva: 250 A, alta inmunidad al ruido, soporta altos dI/dt y dV/dt. Original
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación VHF/UHF, osciladores y mezcladores, VDS = 25 V, VGS = 25 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW. Original
Transistor PNP de bajo ruido, alta ganancia y alto voltaje para amplificación de audio. IC: 50 mA, PD: 500 mW, VCEO: 120 V, VCBO: 120 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-92. Original
Doble diodo rectificador Schottky, cátodo común, 12.5 A por diodo, 45 V. Original
Versión SMD del 2N2222 / PN2222. Transistor NPN de propósito general. IC: 600 mA, PD: 225 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 75 V, VEBO: 6 V, fT: 300 MHz, encapsulado SMD SOT-23. Original
Optoacoplador de fase aleatoria con fototriac, corriente de disparo 6 mA, voltaje de salida 600 V, voltaje de aislamiento 4.17 kV, alta capacidad dv/dt. Encapsulado DIP. Original
Diodo rectificador súper rápido, tiempo de recuperación 60 ns, 8 A, 600 V. Encapsulado TO-220AC. Original
Diodo rectificador ultra rápido de juntura de vidrio pasivado, 2 A, 200 V, 35 ns, alta frecuencia. SMD. Original
Transistor NPN, IC: 3 A, PTOT: 40 W, VCEO: 60 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V. Original
Transistor NPN, IC: 3 A, PTOT: 40 W, VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original
Transistor PNP, IC: 3 A, PTOT: 40 W, VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original