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NTE Electronics Inc. provee la serie de reemplazos de semiconductores mas amplia del mundo y otros componentes, suministros y herramientas para electrónica

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  • COP$ 31.861 En stock

    Transistor de germanio NPN para conmutación, IC: 150 mA, PD: 150 mW, VCBO: 25 V, VCES: 24 V, VEBO: 12 V, encapsulado TO-5. Original

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  • COP$ 27.500 Fuera de stock

    Transistor de germanio NPN para amplificación, IC: 1 A, PD: 650 mW, VCBO: 32 V, VEBO: 10 V, encapsulado TO-1. Original

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  • COP$ 6.900 En stock

    Diodo de germanio, propósito general, alta velocidad, alta conductancia, buenas características de suicheo, 60 mA, 80 V. Original

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  • COP$ 1.550 En stock

    Diodo rectificador, 1 A, 600 V. Original

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  • COP$ 2.600 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V, fT: 250 MHz, encapsulado TO-92. Original

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  • COP$ 1.800 En stock

    Diodo rectificador, 1 A, 1000 V. Original

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  • COP$ 31.531 En stock

    Medidor de voltajes análogos y driver de diez LED's individuales o de displays a LED, LCD o fluorescente, visualización modo barra o modo punto, escala logarítmica (Pasos de 3 dB), varias unidades pueden conectarse en cascada para aumentar el número de LED's. Original.

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    Diodo rectificador, 2 A, 1000 V. Original

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  • COP$ 3.300 En stock

    Transistor PNP de propósito general. IC: 800 mA, PD: 625 mW, VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V, encapsulado TO-92. Original

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  • COP$ 6.100 En stock

    Transistor NPN de alta frecuencia para amplificación IF, osciladores VHF, mezcladores, y sintonizadores FM. IC: 50 mA, PD: 425 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 3 V, fT: 500 MHz, encapsulado TO-92. Original

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  • COP$ 28.096 En stock

    Transistor de alta potencia NPN para amplificación general o de audio de alta fidelidad. IC: 15 A, PD: 150 W, VCEO: 200 V, VCBO: 200 V, VEBO: 5 V, fT: 25 MHz, encapsulado TO-3PBL. Original

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  • COP$ 24.930 En stock

    Transistor de alta potencia PNP para amplificación general o de audio de alta fidelidad. IC: 15 A, PD: 150 W, VCEO: 200 V, VCBO: 200 V, VEBO: 5 V, fT: 25 MHz, encapsulado TO-3PBL. Original

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  • COP$ 50.150 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 20 ns y tOFF 350 ns, VDS 900 V, ID 8 A, RDS 1.2 Ω, PW 150 W, diodo damper. Incluye aislante de mica. Original

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  • COP$ 16.800 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 30 ns y tOFF 80 ns, RDS 0.18 Ω, VDS 200 V, ID 18 A, PW 125 W, diodo damper. Original

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  • COP$ 35.250 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 130 ns y tOFF 440 ns, VDS 500 V, RDS 0.5 Ω, ID 10 A, PW 125 W, diodo damper. Incluye aislante de mica. Original

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  • COP$ 17.900 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 13 ns y tOFF 40 ns, RDS 0.077 Ω, VDS 100 V, ID 28 A, PW 150 W, diodo damper. Original

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  • COP$ 4.150 Fuera de stock

    Transistor Darlington NPN de propósito general. IC: 4 A, PTOT: 40 W, VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V. Original

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  • COP$ 9.550 En stock

    Transistor Darlington NPN para amplificación de propósito general y conmutación de baja velocidad. IC: 10 A, PTOT: 65 W, VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original

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