Transistor MOSFET de potencia, canal N, BVDSS 100 V, RDS 0.18 Ω, ID 14 A, PW 75 W, tecnología HEXFET®
Driver de transistores MOSFET e IGBT, alta velocidad ton 120 ns toff 94 ns, salida 2 A 10 V a 20 V, canales flotantes de alto voltaje a hasta 525 V y de bajo voltaje, entradas Schmitt-trigger compatibles con CMOS y LSTTL, alimentación separada para la lógica de 3.3 V a 20 V, PD 1.6 W. Encapsulado PDIP 14 pines. Original
MOSFET de potencia canal N. VDSS 100 V, ID 33 A, PW 130 W, RDS(on) 44 mΩ, tON 11 ns y tOFF 39 ns, diodo damper. Original
MOSFET de potencia canal N. VDSS 200 V, RDS(on) 0.15 Ω, ID 18 A, PW 150 W. Original
MOSFET de potencia canal N. VDS 200 V, ID 65 A, PW 330 W, RDS(on) 19.7 mΩ, tON 33 ns y tOFF 21 ns, diodo damper. Original
Transistor MOSFET de potencia, canal N, tecnología HEXFET™, alta velocidad tON 13 ns y tOFF 40 ns, VDS 60 V, ID 55 A, RDS 16.5 mΩ, PW 115 W, diodo damper. Original
Transistor MOSFET de potencia, canal N, tecnología HEXFET™, alta velocidad tON 14 ns y tOFF 33 ns, VDS 55 V, ID 51 A, RDS 13.9 mΩ, PW 80 W, diodo damper. Original