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Transistores de unión bipolar (BJT)

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    Transistor NPN de propósito general. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-92. Original

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    Transistor NPN de propósito general. IC: 800 mA, PD: 500 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 75 V, VEBO: 6 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-18. Original

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    Transistor PNP de propósito general. IC: 600 mA, PD: 1.8 W, VCEO: 60 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 200 MHz, encapsulado TO-18. Original

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    Transistor NPN de propósito general. IC: 700 mA, PD: 5 W, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-39. Original

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    Transistor NPN de potencia. IC: 15 A, PD: 115 W, VCEO: 60 V, VCBO: 100 V, VEBO: 7 V, fT: 2.5 MHz, encapsulado TO-3. Original

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  • COP$ 138 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 200 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V, fT 300 MHz, encapsulado TO-92. Original

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    Transistor PNP de propósito general. IC: 200 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V, fT 250 MHz, encapsulado TO-92. Original

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    Transistor NPN de propósito general. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V, fT: 250 MHz

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    Transistor PNP de propósito general. IC: 600 mA, PTOT: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V, FT : 200 MHz

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  • COP$ 14.496 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 700 mA, PD: 5 W, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-39.

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    Transistor PNP de alto voltaje. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 150 V, VCBO: 160 V, VEBO: 5 V, fT: 100 a 300 MHz, TO-92. Original

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    Transistor NPN de alto voltaje. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V, fT: 100 MHz, TO-92. Original

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    Transistor PNP para audio y osciladores. IC: 150 mA, PD: 400 mW, VCEO: 50 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V, fT: 80 MHz, encapsulado TO-92. Original

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    Transistor de alta potencia PNP para amplificación general o de audio de alta fidelidad. IC: 17 A, PD: 150 W, VCEO: 250 V, VCBO: 250 V, VEBO: 5 V, fT: 30 MHz, encapsulado TO-264 (TO-3PL). Original

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    Transistor PNP de propósito general, baja frecuencia. IC: 100 mA, PD: 250 mW, VCEO: 50 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-92. Original

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    Transistor de alta potencia NPN para amplificación general o de audio de alta fidelidad. IC: 17 A, PD: 150 W, VCEO: 250 V, VCBO: 250 V, VEBO: 5 V, fT: 30 MHz, encapsulado TO-264 (TO-3PL). Original

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    Transistor NPN de media potencia. IC: 3 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz. Original

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    Transistor PNP de alto voltaje. IC: 200 mA, PD: 625 mW, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V, fT: 50 MHz, TO-92. Original

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