Transistor NPN de propósito general. IC: 800 mA, PD: 625 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 50V, VEBO: 5 V, encapsulado TO-92.
Transistor NPN de media potencia. IC: 1.5 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 80 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original
Capacitores electroliticos de aluminio, montaje superficial, 20%, en varios valores de capacitancia y voltaje
Transistor NPN de alto voltaje. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V, fT: 50 MHz, TO-92. Original
Resistores de precisión de película metálica con potencias de 1/4 W, 1/2 W y 1 W. Tolerancia 1%, en varios valores de resistencia seleccionables en menú desplegable
Soldadura sin plomo, estaño 97.1 %, Plata 2.6 % Cobre 0.3 %, con núcleo de resina, diámetro 1 mm, cantidad por metro
Diodo rectificador rápido, tiempo de recuperación 75 ns, 1 A, 800 V. Original