BSS138LT1G
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Transistor MOSFET, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 20 ns y tOFF 20 ns, VDS 50 V, RDS 3.5 Ω, ID 200 mA, PW 225 mW, diodo damper. Original
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Fabricante: ON Semiconductor
Características:
COP$ 5.600
COP$ 2.500
COP$ 43.500
COP$ 4.460
COP$ 6.200
COP$ 650
COP$ 3.400
COP$ 3.600
COP$ 3.400
COP$ 2.300
COP$ 5.231
COP$ 10.700
COP$ 6.700
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COP$ 2.300
COP$ 600
COP$ 5.600
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COP$ 0
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