NTE2393

Fabricante: NTE

Características: 

• MOSFET canal N, modo de enriquecimiento
  
• V_DS max. = 500 V
  
• V_GS max. = ±20V
• I_D max. = 10 A
• P_W max. = 125 W  (@ T_C = 25 ºC)
  
• Voltaje de umbral de la compuerta: 3 V típico
• Baja resistencia en conducción R_DS = 0.5 Ω típica, 0.67 Ω max.
• Alta velocidad. t_ON : 130 ns típico, 195 ns max. t_OFF: 440 ns típico, 570 ns max.  (@ V_GS 10 V, I_D 2.8 A, R_L 50 Ω)
  
• Diodo damper incorporado
  
• Encapsulado: TO-3P
• Incluye aislante de mica
• Producto genuino. Para saber más sobre la falsificación de semiconductores: Aquí

Hoja de datos:   

Reemplaza a:

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Notas:

Verifique que este dispositivo NTE si sea el reemplazo para el dispositivo de la lista anterior que requiera, en el software gratuito de reemplazos NTE QUICKCross o en el manual de semiconductores NTE actualizados, y verifique siempre el orden de pines de ambos dispositivos, ya que podrían existir errores de digitación. También las características técnicas claves de ambos dispositivos, especialmente en aplicaciones críticas. Los dispositivos NTE no deben ser usados en equipos de soporte vital, ya que no han sido diseñados y/o certificados para esa aplicación.

# Existen mínimas diferencias eléctricas, pero el dispositivo NTE funcionará en la mayoría de aplicaciones

? El dispositivo NTE podría no ser un equivalente eléctrico o mecánico exacto. Sin embargo, servirá como un substituto aceptable en la mayoría de aplicaciones típicas

% Se debe usar el hardware de aislamiento provisto con el dispositivo NTE