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Transistores

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Transistores

Transistores bipolares, FET, MOSFET, Darlington, unijuntura, entre otros.

Transistores Hay 147 productos.

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  • BJT
    BJT

    Transistores de unión bipolar (BJT)

  • BJT Darlington
    BJT Darlington

    Transistores de unión bipolar (BJT) Darlington (BJT's en tándem)

  • IGBT
    IGBT

    Transistores bipolares de compuerta aislada ó IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

  • JFET
    JFET

    Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)

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    Transistores de efecto de campo semiconductor de metal-óxido (MOSFET)

  • PUT / UJT
    PUT / UJT

    Transistores de unijuntura programables (PUT) y transistores de unijuntura (UJT)

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  • COP$ 155 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-92. Original

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  • COP$ 2.850 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 800 mA, PD: 500 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 75 V, VEBO: 6 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-18. Original

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  • COP$ 3.950 En stock

    Transistor PNP de propósito general. IC: 600 mA, PD: 1.8 W, VCEO: 60 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 200 MHz, encapsulado TO-18. Original

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  • COP$ 6.450 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 700 mA, PD: 5 W, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-39. Original

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  • COP$ 8.950 En stock

    Transistor NPN de potencia. IC: 15 A, PD: 115 W, VCEO: 60 V, VCBO: 100 V, VEBO: 7 V, fT: 2.5 MHz, encapsulado TO-3. Original

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  • COP$ 5.956 En stock

    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y mezcladores de RF, 450 MHz, VDG = 25 V, VGS = 25V, IGF = 10 mA, PD = 360 mW. Original

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  • COP$ 138 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 200 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V, fT 300 MHz, encapsulado TO-92. Original

    COP$ 138
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  • COP$ 131 En stock

    Transistor PNP de propósito general. IC: 200 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V, fT 250 MHz, encapsulado TO-92. Original

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  • COP$ 450 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V, fT: 250 MHz

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    Transistor PNP de propósito general. IC: 600 mA, PTOT: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V, FT : 200 MHz

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  • COP$ 9.950 En stock

    Transistor de unijuntura (UJT), 50 mA, 30 V, 300 mW, corriente pico Ip 1 μA, RBB 6 kΩ, η 0.56 a 0.76, Iv 5 mA. Original.

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  • COP$ 14.496 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 700 mA, PD: 5 W, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-39.

    COP$ 14.496
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  • COP$ 560 En stock

    Transistor PNP de alto voltaje. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 150 V, VCBO: 160 V, VEBO: 5 V, fT: 100 a 300 MHz, TO-92. Original

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  • COP$ 4.500 En stock

    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 25 V, VGS = -25 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW

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  • COP$ 410 En stock

    Transistor NPN de alto voltaje. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V, fT: 100 MHz, TO-92. Original

    COP$ 410
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  • COP$ 3.900 En stock

    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 30 V, VGS = 30 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW. Original

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  • COP$ 8.050 En stock

    Transistor de unijuntura programable (PUT), 150 mA, 40 V, 300 mW, corriente pico Ip típica 4 μA. Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias. Original. Parte obsoleta, para nuevos diseños utilizar el 2N6028 ó el NTE6402

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  • COP$ 5.950 En stock

    Transistor de unijuntura programable (PUT), 150 mA, 40 V, 300 mW, corriente pico Ip típica 0.7 μA. Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias. Original

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