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Transistores

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Transistores

Transistores bipolares, FET, MOSFET, Darlington, unijuntura, entre otros.

Transistores Hay 147 productos.

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  • BJT
    BJT

    Transistores de unión bipolar (BJT)

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    BJT Darlington

    Transistores de unión bipolar (BJT) Darlington (BJT's en tándem)

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    IGBT

    Transistores bipolares de compuerta aislada ó IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

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    Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)

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    Transistores de efecto de campo semiconductor de metal-óxido (MOSFET)

  • PUT / UJT
    PUT / UJT

    Transistores de unijuntura programables (PUT) y transistores de unijuntura (UJT)

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  • COP$ 43.500 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, BVDSS 100 V, RDS 0.18 Ω, ID 14 A, PW 75 W, tecnología HEXFET®

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    Transistor MOSFET de baja potencia, canal N, VDS 60 V, RDS 1.8 Ω, ID 200 mA, PW 400 mW. Original

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    Transistor PNP para audio y osciladores. IC: 150 mA, PD: 400 mW, VCEO: 50 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V, fT: 80 MHz, encapsulado TO-92. Original

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  • COP$ 15.300 En stock

    Transistor de alta potencia PNP para amplificación general o de audio de alta fidelidad. IC: 17 A, PD: 150 W, VCEO: 250 V, VCBO: 250 V, VEBO: 5 V, fT: 30 MHz, encapsulado TO-264 (TO-3PL). Original

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    Transistor PNP de propósito general, baja frecuencia. IC: 100 mA, PD: 250 mW, VCEO: 50 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-92. Original

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  • COP$ 14.950 En stock

    Transistor de alta potencia NPN para amplificación general o de audio de alta fidelidad. IC: 17 A, PD: 150 W, VCEO: 250 V, VCBO: 250 V, VEBO: 5 V, fT: 30 MHz, encapsulado TO-264 (TO-3PL). Original

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    Transistor NPN de media potencia. IC: 3 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz. Original

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    Arreglo de 2 pares de transistores MOSFET complementarios + 1 inversor de MOSFET's. Alimentación 3 V a 18 V. Tecnología CMOS. Original

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    Transistor PNP de alto voltaje. IC: 200 mA, PD: 625 mW, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V, fT: 50 MHz, TO-92. Original

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    Transistor PNP de propósito general. IC: 800 mA, PD: 625 mW, VCEO: 45 V, VCES: 50V, VEBO: 5 V, encapsulado TO-92.

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  • COP$ 550 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 800 mA, PD: 625 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 50V, VEBO: 5 V, encapsulado TO-92.

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    Transistor NPN de propósito general. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 65 V, VCBO: 80 V, VEBO: 6 V, FT : 300 MHz. TO-92. Original

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    Transistor NPN de propósito general. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 6 V, FT : 300 MHz. TO-92. Original

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    Transistor NPN de propósito general. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 6 V, FT : 300 MHz

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    Transistor NPN de bajo ruido. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 5 V, FT : 300 MHz. Original

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    Transistor NPN de bajo ruido. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 6 V, FT : 300 MHz. Original

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    Transistor NPN de bajo ruido. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V, FT : 300 MHz. Original

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    Transistor PNP de propósito general. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 65 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V, FT : 150 MHz. TO-92. Original

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