Transistores bipolares, FET, MOSFET, Darlington, unijuntura, entre otros.
Subcategories
Transistores de unión bipolar (BJT), incluyendo Darlingtons (BJT's en tándem)
Transistores bipolares de compuerta aislada ó IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)
Transistores de efecto de campo semiconductor de metal-óxido (MOSFET)
Transistores de unijuntura programables (PUT) y transistores de unijuntura (UJT)
Transistor NPN de propósito general. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-92. Original
Transistor NPN de propósito general. IC: 800 mA, PD: 500 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 75 V, VEBO: 6 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-18. Original
Transistor PNP de propósito general. IC: 600 mA, PD: 1.8 W, VCEO: 60 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 200 MHz, encapsulado TO-18
Transistor NPN de propósito general. IC: 700 mA, PD: 5 W, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-39. Original
High power NPN transistor. IC: 15 A, PD: 115 W, VCEO: 60 V, VCBO: 100 V, VEBO: 7 V, fT: 3 MHz, TO-3 package. Original
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y mezcladores de RF y , VDG = 25 V, VGS = 25V, IGF = 10 mA, PD = 360 mW. Original
Transistor NPN de propósito general. IC: 200 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V, fT 300 MHz, encapsulado TO-92. Original
Transistor PNP de propósito general. IC: 200 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V, fT 250 MHz, encapsulado TO-92. Original
Transistor NPN de propósito general. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V, fT: 250 MHz
Transistor PNP de propósito general. IC: 600 mA, PTOT: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V, FT : 200 MHz
Unijunction transistor (UJT), 50 mA, 30 V, 300 mW, peak-point current Ip 1 μA, RBB 6 kΩ, η 0.56 a 0.76, Iv 5 mA. TO-92. Original.
Transistor NPN de propósito general. IC: 700 mA, PD: 5 W, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-39.
Transistor PNP de alto voltaje. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 150 V, VCBO: 160 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, TO-92. Original
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 25 V, VGS = -25 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW
Transistor NPN de alto voltaje. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V, fT: 100 MHz, TO-92. Original
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 30 V, VGS = -30 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW. Original
Transistor de unijuntura programable (PUT), 150 mA, 40 V, 300 mW, corriente pico Ip típica 4 μA. Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias. Original. Parte obsoleta, para nuevos diseños utilizar el 2N6028 ó el NTE6402
Transistor de unijuntura programable (PUT), 150 mA, 40 V, 300 mW, corriente pico Ip típica 0.7 μA. Permite programar las características de unijuntura RBB, η, Iv y Ip con solo dos resistencias. Original