Transistores bipolares, FET, MOSFET, Darlington, unijuntura, entre otros.
Subcategories
Transistores de unión bipolar (BJT), incluyendo Darlingtons (BJT's en tándem)
Transistores bipolares de compuerta aislada ó IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)
Transistores de efecto de campo semiconductor de metal-óxido (MOSFET)
Transistores de unijuntura programables (PUT) y transistores de unijuntura (UJT)
Transistor MOSFET de potencia, canal N, BVDSS 100 V, RDS 0.18 Ω, ID 14 A, PW 75 W, tecnología HEXFET®
Transistor MOSFET de baja potencia, canal N, VDS 60 V, RDS 1.8 Ω, ID 200 mA, PW 400 mW. Original
Transistor PNP para audio y osciladores. IC: 150 mA, PD: 400 mW, VCEO: 50 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V, fT: 80 MHz, encapsulado TO-92. Original
High power PNP transistor for general and high fidelity audio amplification. IC: 17 A, PD: 150 W, VCEO: 250 V, VCBO: 250 V, VEBO: 5 V, fT: 30 MHz, package TO-264 (TO-3PL). Original
Transistor PNP de propósito general, baja frecuencia. IC: 100 mA, PD: 250 mW, VCEO: 50 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-92. Original
High power NPN transistor for general and high fidelity audio amplification. IC: 17 A, PD: 150 W, VCEO: 250 V, VCBO: 250 V, VEBO: 5 V, fT: 30 MHz, package TO-264 (TO-3PL). Original
Medium power NPN transitor. IC: 3 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz. Original
Arreglo de 2 pares de transistores MOSFET complementarios + 1 inversor de MOSFET's. Alimentación 3 V a 18 V. Tecnología CMOS. Original
Transistor PNP de alto voltaje. IC: 200 mA, PD: 625 mW, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V, fT: 50 MHz, TO-92. Original
Transistor PNP de propósito general. IC: 800 mA, PD: 625 mW, VCEO: 45 V, VCES: 50V, VEBO: 5 V, encapsulado TO-92.
Transistor NPN de propósito general. IC: 800 mA, PD: 625 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 50V, VEBO: 5 V, encapsulado TO-92.
Transistor NPN de propósito general. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 65 V, VCBO: 80 V, VEBO: 6 V, FT : 300 MHz. TO-92. Original
General purpose NPN Transistor. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 6 V, FT: 300 MHz. TO-92. Original
Transistor NPN de propósito general. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 6 V, FT : 300 MHz
Transistor NPN de bajo ruido. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 5 V, FT : 300 MHz. Original
Low noise NPN transistor. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 6 V, FT : 300 MHz. Original
Low noise NPN transistor. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V, FT : 300 MHz. Original
Transistor PNP de propósito general. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 65 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V, FT : 150 MHz. TO-92. Original