Transistores bipolares, FET, MOSFET, Darlington, unijuntura, entre otros.
Subcategories
Transistores de unión bipolar (BJT), incluyendo Darlingtons (BJT's en tándem)
Transistores bipolares de compuerta aislada ó IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)
Transistores de efecto de campo semiconductor de metal-óxido (MOSFET)
Transistores de unijuntura programables (PUT) y transistores de unijuntura (UJT)
Transistor PNP de propósito general. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V, FT : 150 MHz. Original
PNP transistor, general purpose. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 5 V, FT : 150 MHz. Original
Transistor PNP de bajo ruido. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 5 V, FT : 150 MHz. Original
Transistor PNP de propósito general. IC: 1A, PD: 1.35 W, VCEO: 80 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V, fT: 145 MHz, encapsulado SMD SOT-223. Original
Transistor NPN de propósito general. IC: 1A, PD: 1.5 W, VCEO: 80 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V, fT: 130 MHz, encapsulado SMD SOT-223. Original
Transistor NPN de media potencia. IC: 1.5 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 45 V, VCBO: 45 V, VEBO: 5 V. Original
Transistor PNP de media potencia. IC: 1.5 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 45 V, VCBO: 45 V, VEBO: 5 V. Original
Transistor NPN de media potencia. IC: 1.5 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 80 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original
Transistor PNP de media potencia. IC: 1.5 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V. Original
N-Channel JFET transistor, for VHF/UHF amplification, oscillators and mixers, VDG = 30 V, VGS = -30 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW. Original
Transistor MOSFET, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 20 ns y tOFF 20 ns, VDS 50 V, RDS 3.5 Ω, ID 200 mA, PW 225 mW, diodo damper. Original
Transistor MOSFET, canal N, modo de enriquecimiento, muy alta velocidad tON 2 ns y tOFF 9 ns, VDS 60 V, RDS 1 Ω, ID 360 mA, PW 350 mW, diodo damper. Original
Par de transistores MOSFET complementarios (N y P) de baja potencia, VDS 20 V, RDS 66 mΩ típica (N) 145 mΩ típica (P), ID 3 A (N) 2.2 A (P), PW 900 mW. Encapsulado SMD/SMT SSOT-6. Original
Módulo IGBT, dual, 1200 V, 300 A. Original. Producto por encargo, se envia de 7 a 9 días
Transistor MOSFET de potencia, canal P, VDSS 60 V, RDS 0.07 Ω, ID 27 A, PW 120 W, ton 18 ns, toff 30 ns. Original
Módulo IGBT, 1200 V, 400 A. Original. Producto por encargo, se envia de 7 a 9 días
Transistor MOSFET de potencia, canal N, VDS 100 V, RDS 0.27 Ω, ID 9.2 A, PW 60 W. Original
N-Channel MOSFET transistor. VDS 100 V, ID 33 A, PW 130 W, RDS(on) 44 mΩ, tON 11 ns and tOFF 39 ns, damper diode. Original