Transistores bipolares, FET, MOSFET, Darlington, unijuntura, entre otros.
Subcategories
Transistores de unión bipolar (BJT), incluyendo Darlingtons (BJT's en tándem)
Transistores bipolares de compuerta aislada ó IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)
Transistores de efecto de campo semiconductor de metal-óxido (MOSFET)
Transistores de unijuntura programables (PUT) y transistores de unijuntura (UJT)
Medium power NPN transitor, for audio amplification and driver. IC: 3 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz. TO-126 package. Original
Medium power PNP transitor, for audio amplification and driver. IC: 3 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz. TO-126 package. Original
General purpose PNP transistor. IC: 10 A, PTOT: 50 W, VCEO: 80 V, VEBO: 5 V. Original
High voltage NPN transistor for audio amplification. IC: 1 A, PTOT: 900 mW, VCEO: 100 V, VCBO: 120 V, VEBO: 5 V, fT: 140 MHz, Giant TO-92. Original
High voltage PNP transistor for audio amplification. IC: 1 A, PTOT: 900 mW, VCEO: 100 V, VCBO: 120 V, VEBO: 5 V, fT: 140 MHz, Giant TO-92. Original
High power NPN transistor for amplification or switching. IC: 25 A, PD: 125 W, VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V, fT: 3 MHz, TO-3PN package. Original
Transistor PNP de banda ancha, fT: 2.3 GHz, IC: 50 mA, PD: 225 mW, VCEO: 25 V, VCBO: 30 V, VEBO: 3 V, encapsulado TO-72. Original.
Transistor NPN de alto voltaje para la amplificación de video. IC: 100 mA, PTOT: 900 mW, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 6 V, fT: 50 MHz, Giant TO-92. Original
High power NPN transistor for audio and general purpose amplification. IC: 17 A, PD: 200 W, VCEO: 200 V, VCBO: 200 V, VEBO: 6 V, fT: 20 MHz, MT-200 package. Original
High power PNP transistor for audio and general purpose amplification. IC: 17 A, PD: 200 W, VCEO: 200 V, VCBO: 200 V, VEBO: 6 V, fT: 20 MHz, MT-200 package. Original
Unijunction transistor (UJT), 50 mA, 30 V, 300 mW, peak point current Ip 1 μA, RBB 7 kΩ, η 0.56 to 0.75, Iv 6 mA. TO-18. Original.
Transistor NPN de propósito general. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-92. Original
Transistor PNP de propósito general. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 200 MHz, encapsulado TO-92. Original
Transistor NPN de audio. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 25 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V, fT: 150 MHz, encapsulado TO-92. Original
Transistor PNP de audio. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 25 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V, fT: 150 MHz, encapsulado TO-92. Original
Transistor PNP de audio, buena linealidad. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 25 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V, fT: 150 MHz, encapsulado TO-92. Original
Transistor PNP de alta ganancia y buena linealidad. IC: 100 mA, PD: 450 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V, fT: 150 MHz, encapsulado TO-92. Original