Transistores bipolares, FET, MOSFET, Darlington, unijuntura, entre otros.
Subcategories
Transistores de unión bipolar (BJT), incluyendo Darlingtons (BJT's en tándem)
Transistores bipolares de compuerta aislada ó IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)
Transistores de efecto de campo semiconductor de metal-óxido (MOSFET)
Transistores de unijuntura programables (PUT) y transistores de unijuntura (UJT)
High power PNP transistor. IC: 15 A, PD: 115 W, VCEO: 60 V, VCBO: 100 V, VEBO: 7 V, fT: 2.5 MHz, TO-3 package. Original
Transistor NPN de propósito general de potencia. IC: 10 A, PD: 75 W, VCEO: 60 V, VCBO: 70 V, VEBO: 5 V, fT: 2 MHz, encapsulado TO-220.
Transistor NPN de media potencia y alto voltaje. IC: 0.5 A, PTOT: 20 W, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V. Original
Transistor PNP de media potencia y alto voltaje. IC: 0.5 A, PTOT: 20 W, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V. Original
2N2222 / PN2222 SMD version. General purpose NPN transistor. IC: 600 mA, PD: 225 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 75 V, VEBO: 6 V, fT: 300 MHz, SOT-23 SMD package. Original
2N3904 SMD version. General purpose NPN transistor. IC: 200 mA, PD: 350 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V, fT: 300 MHz, SOT-23 SMD package. Original
2N3906 SMD version. General purpose PNP transistor. IC: 200 mA, PD: 250 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 40 V, VEBO: 6 V, fT: 250 MHz, SOT-23 SMD package. Original
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 25 V, VGS = -25 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW. Original
Transistor NPN de propósito general. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 4 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-92. Original
Transistor Darlington NPN de propósito general. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 10 V, fT: 125 MHz, encapsulado TO-92.
Transistor NPN de bajo ruido, alta ganancia. IC: 100 mA, PD: 625 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 45 V, VEBO: 6.5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-92. Original
Transistor NPN de alto voltaje. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V, fT: 50 MHz, TO-92. Original
High frequency and low noise NPN transistor for UHF applications. IC: 70 mA, PD: 500 mW, VCEO: 12 V, VCBO: 20 V, VEBO: 3 V, fT: 5 GHz, TO-92 package. Original
Transistor de germanio PNP para conmutación, IC: 150 mA, PD: 150 mW, VCBO: 25 V, VCES: 24 V, VEBO: 12 V, encapsulado TO-5. Original
Transistor de germanio PNP para amplificación, IC: 1 A, PD: 650 mW, VCBO: 32 V, VEBO: 10 V, encapsulado TO-1. Original.
Transistor de germanio NPN para conmutación, IC: 150 mA, PD: 150 mW, VCBO: 25 V, VCES: 24 V, VEBO: 12 V, encapsulado TO-5. Original
Transistor NPN de propósito general. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V, fT: 250 MHz, encapsulado TO-92. Original