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Transistores

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Transistores

Transistores bipolares, FET, MOSFET, Darlington, unijuntura, entre otros.

Transistores Hay 147 productos.

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  • BJT
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    Transistores de unión bipolar (BJT)

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    BJT Darlington

    Transistores de unión bipolar (BJT) Darlington (BJT's en tándem)

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    Transistores bipolares de compuerta aislada ó IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

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    Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)

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    Transistores de efecto de campo semiconductor de metal-óxido (MOSFET)

  • PUT / UJT
    PUT / UJT

    Transistores de unijuntura programables (PUT) y transistores de unijuntura (UJT)

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    MOSFET de potencia canal N. VDSS 200 V, RDS(on) 0.15 Ω, ID 18 A, PW 150 W. Original

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    Transistor MOSFET de potencia, canal N, VDS 400 V, RDS 1 Ω, ID 5.5 A, PW 74 W. Original

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    MOSFET de potencia canal N. VDSS 400 V, RDS(on) 0.55 Ω, ID 10 A, PW 134 W. Original

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    Transistor MOSFET de potencia, canal N, VDS 500 V, RDS 1.5 Ω, ID 4.5 A, PW 74 W. Original

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    Transistor MOSFET de potencia, canal N, VDS 500 V, RDS 0.85 Ω, ID 8 A, PW 125 W. Original

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    Transistor MOSFET de potencia, canal P, VDS 200 V, RDS 0.8 Ω, ID 6.5 A, PW 74 W

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    MOSFET de potencia canal N. VDS 200 V, ID 65 A, PW 330 W, RDS(on) 19.7 mΩ, tON 33 ns y tOFF 21 ns, diodo damper. Original

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    Transistor MOSFET de potencia, canal N, tecnología HEXFET™, alta velocidad tON 13 ns y tOFF 40 ns, VDS 60 V, ID 55 A, RDS 16.5 mΩ, PW 115 W, diodo damper. Original

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    Transistor MOSFET de potencia, canal N, tecnología HEXFET™, alta velocidad tON 14 ns y tOFF 33 ns, VDS 55 V, ID 51 A, RDS 13.9 mΩ, PW 80 W, diodo damper. Original

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  • COP$ 1.787 En stock

    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = 35 V, VGS = -35 V, IGF = 50 mA, PD = 625 mW, 30 Ω. Encapsulado TO-92. Original

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    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = 35 V, VGS = -35 V, IGF = 50 mA, PD = 625 mW, 50 Ω. Encapsulado TO-92. Original

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  • COP$ 1.570 En stock

    Transistor JFET canal P, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = -30 V, VGS = 30 V, IGF = 50 mA, PD = 350 mW, 125 Ω. Original

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    Transistor JFET canal P, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = -30 V, VGS = 30 V, IGF = 50 mA, PD = 350 mW, 250 Ω. Original

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  • COP$ 14.000 En stock

    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación VHF/UHF, osciladores y mezcladores, VDS = 25 V, VGS = 25 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW. Original

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    Transistor PNP de bajo ruido, alta ganancia y alto voltaje para amplificación de audio. IC: 50 mA, PD: 500 mW, VCEO: 120 V, VCBO: 120 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-92. Original

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    Transistor NPN para audio y osciladores. IC: 150 mA, PD: 400 mW, VCEO: 50 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 80 MHz, encapsulado TO-92. Original

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  • COP$ 366 En stock

    Transistor NPN para amplificación de audio y osciladores de alta frecuencia. IC: 150 mA, PD: 250 mW, VCEO: 50 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-92. Original

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  • COP$ 950 En stock

    Fototransistor (Receptor), diámetro de 3mm, tipo NPN, luz infrarroja, filtro contra luz visible, 900 nm, 30 V, 100 mW. Original

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