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Transistores

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Transistores

Transistores bipolares, FET, MOSFET, Darlington, unijuntura, entre otros.

Transistores Hay 147 productos.

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  • BJT
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    Transistores de unión bipolar (BJT)

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    BJT Darlington

    Transistores de unión bipolar (BJT) Darlington (BJT's en tándem)

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    IGBT

    Transistores bipolares de compuerta aislada ó IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

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    Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)

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    Transistores de efecto de campo semiconductor de metal-óxido (MOSFET)

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    PUT / UJT

    Transistores de unijuntura programables (PUT) y transistores de unijuntura (UJT)

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    Transistor PNP de alta ganancia y buena linealidad. IC: 100 mA, PD: 450 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V, fT: 150 MHz, encapsulado TO-92. Original

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    Transistor NPN de alta frecuencia para amplificación AM/FM e IF y oscilador local de sintonizadores FM/VHF. IC: 50 mA, PD: 310 mW, VCEO: 18 V, VCBO: 25 V, VEBO: 4 V, fT: 600 MHz, encapsulado TO-92. Original

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    Software gratuito NTE QUICKCross. Descárguelo en la descripción ampliada debajo. Proporciona referencias cruzadas de más de 525.000 dispositivos a 4.600 dispositivos NTE: Semiconductores, optoelectrónicos, relés, potenciómetros, trimmers, dials, resistores, suiches, fusibles, termistores, varistores, puntas de cautín, puntas de prueba, ventiladores,...

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    Transistor NPN de alta ganancia y buena linealidad, bajo ruido. IC: 100 mA, PD: 450 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V, fT: 270 MHz, encapsulado TO-92. Original

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    Transistor IGBT, IC: 10 A a 100 ºC, PTOT: 65 W, VCES: 600 V, diodo damper. Original

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    MOSFET de potencia canal N. VDSS 400 V, RDS(on) < 0.55 Ω, ID 9 A, PW 110 W. SuperMESH™ protegido por zener. Original

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    Transistor Darlington NPN de propósito general, media potencia. IC: 8 A, PTOT: 80 W, VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V.

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    Transistor Darlington NPN de propósito general. IC: 5 A, PTOT: 65 W, VCEO: 60 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V. TO-220AB. Original

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    Transistor Darlington NPN de propósito general. IC: 5A, PTOT: 65W, VCEO: 100V, VCBO: 100V, VEBO: 5V. Original

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    Transistor Darlington PNP de propósito general. IC 5 A, PTOT 65 W, VCEO 100 V, VCBO 100 V, VEBO 5 V. Encapsulado TO-220. Original

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  • COP$ 870 En stock

    Transistor NPN, IC: 3 A, PTOT: 40 W, VCEO: 60 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V. Original

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  • COP$ 1.800 En stock

    Transistor NPN, IC: 3 A, PTOT: 40 W, VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original

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  • COP$ 870 En stock

    Transistor PNP, IC: 3 A, PTOT: 40 W, VCEO: 60 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V. Original

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    Transistor PNP, IC: 3 A, PTOT: 40 W, VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original

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    Transistor NPN de potencia. IC: 6A, PTOT: 65W, VCEO: 100V, VCBO: 100V, VEBO: 5V. Original

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    Transistor PNP de potencia. IC 6 A, PTOT 65 W, VCEO 100 V, VCBO 100 V, VEBO 5 V. Original

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    Arreglo de 7 transistores Darlington, c/u capaz de manejar 0.5 A y 50 V. Con diodos de protección de voltaje inverso para manejar cargas inductivas. Original

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    Arreglo de 8 transistores Darlington, c/u capaz de manejar 0.5A y 50V. Con diodos de protección de voltaje inverso para manejar cargas inductivas. Entradas compatibles TTL y CMOS de 5 V. Original

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