Transistores bipolares, FET, MOSFET, Darlington, unijuntura, entre otros.
Subcategorías
Transistores de unión bipolar (BJT)
Transistores de unión bipolar (BJT) Darlington (BJT's en tándem)
Transistores bipolares de compuerta aislada ó IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)
Transistores de efecto de campo semiconductor de metal-óxido (MOSFET)
Transistores de unijuntura programables (PUT) y transistores de unijuntura (UJT)
Transistor PNP de propósito general. IC: 800 mA, PD: 625 mW, VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V, encapsulado TO-92. Original
Transistor NPN de alta frecuencia para amplificación IF, osciladores VHF, mezcladores, y sintonizadores FM. IC: 50 mA, PD: 425 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 3 V, fT: 500 MHz, encapsulado TO-92. Original
Transistor de alta potencia NPN para amplificación general o de audio de alta fidelidad. IC: 15 A, PD: 150 W, VCEO: 200 V, VCBO: 200 V, VEBO: 5 V, fT: 25 MHz, encapsulado TO-3PBL. Original
Transistor de alta potencia PNP para amplificación general o de audio de alta fidelidad. IC: 15 A, PD: 150 W, VCEO: 200 V, VCBO: 200 V, VEBO: 5 V, fT: 25 MHz, encapsulado TO-3PBL. Original
Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 20 ns y tOFF 350 ns, VDS 900 V, ID 8 A, RDS 1.2 Ω, PW 150 W, diodo damper. Incluye aislante de mica. Original
Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 30 ns y tOFF 80 ns, RDS 0.18 Ω, VDS 200 V, ID 18 A, PW 125 W, diodo damper. Original
Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 130 ns y tOFF 440 ns, VDS 500 V, RDS 0.5 Ω, ID 10 A, PW 125 W, diodo damper. Incluye aislante de mica. Original
Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 13 ns y tOFF 40 ns, RDS 0.077 Ω, VDS 100 V, ID 28 A, PW 150 W, diodo damper. Original
Transistor Darlington NPN para amplificación de propósito general y conmutación de baja velocidad. IC: 10 A, PTOT: 65 W, VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original
Transistor Darlington PNP para amplificación de propósito general y conmutación de baja velocidad. IC: 10 A, PTOT: 65 W, VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original
Transistor NPN de alto voltaje. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 6 V, fT: 50 MHz, TO-92. Original
Transistor PNP de alto voltaje. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V, fT: 50 MHz, TO-92. Original
Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 45 ns y tOFF 325 ns, VDS 900 V, ID 14 A, RDS 0.63 Ω, PW 275 W, diodo damper. Original
Transistor NPN de alto voltaje para la amplificación de audio y barrido vertical en video. IC: 1 A, PTOT: 900 mW, VCEO: 160 V, VCBO: 160 V, VEBO: 6 V, fT: 100 MHz, Giant TO-92 . Original
Transistor PNP de alto voltaje para la amplificación de audio y barrido vertical en video. IC: 1 A, PTOT: 900 mW, VCEO: 160 V, VCBO: 160 V, VEBO: 6 V, fT: 50 MHz, Giant TO-92 . Original
Transistor de alta potencia NPN para amplificación de audio o conmutación de alta corriente. IC: 12 A, PD: 100 W, VCEO: 140 V, VCBO: 160 V, VEBO: 6 V, fT: 15 MHz, encapsulado TO-3P. Original
Transistor de alta potencia PNP para amplificación de audio o conmutación de alta corriente. IC: 12 A, PD: 100 W, VCEO: 140 V, VCBO: 160 V, VEBO: 6 V, fT: 15 MHz, encapsulado TO-3P. Original