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Transistores

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Transistores

Transistores bipolares, FET, MOSFET, Darlington, unijuntura, entre otros.

Transistores Hay 147 productos.

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  • BJT

    Transistores de unión bipolar (BJT)

  • BJT Darlington

    Transistores de unión bipolar (BJT) Darlington (BJT's en tándem)

  • IGBT

    Transistores bipolares de compuerta aislada ó IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

  • JFET

    Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)

  • MOSFET

    Transistores de efecto de campo semiconductor de metal-óxido (MOSFET)

  • PUT / UJT

    Transistores de unijuntura programables (PUT) y transistores de unijuntura (UJT)

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  • COP$ 3.300 En stock

    Transistor PNP de propósito general. IC: 800 mA, PD: 625 mW, VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V, encapsulado TO-92. Original

    COP$ 3.300
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  • COP$ 6.100 En stock

    Transistor NPN de alta frecuencia para amplificación IF, osciladores VHF, mezcladores, y sintonizadores FM. IC: 50 mA, PD: 425 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 3 V, fT: 500 MHz, encapsulado TO-92. Original

    COP$ 6.100
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  • COP$ 28.096 En stock

    Transistor de alta potencia NPN para amplificación general o de audio de alta fidelidad. IC: 15 A, PD: 150 W, VCEO: 200 V, VCBO: 200 V, VEBO: 5 V, fT: 25 MHz, encapsulado TO-3PBL. Original

    COP$ 28.096
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  • COP$ 24.930 En stock

    Transistor de alta potencia PNP para amplificación general o de audio de alta fidelidad. IC: 15 A, PD: 150 W, VCEO: 200 V, VCBO: 200 V, VEBO: 5 V, fT: 25 MHz, encapsulado TO-3PBL. Original

    COP$ 24.930
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  • COP$ 50.150 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 20 ns y tOFF 350 ns, VDS 900 V, ID 8 A, RDS 1.2 Ω, PW 150 W, diodo damper. Incluye aislante de mica. Original

    COP$ 50.150
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  • COP$ 16.800 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 30 ns y tOFF 80 ns, RDS 0.18 Ω, VDS 200 V, ID 18 A, PW 125 W, diodo damper. Original

    COP$ 16.800
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  • COP$ 35.250 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 130 ns y tOFF 440 ns, VDS 500 V, RDS 0.5 Ω, ID 10 A, PW 125 W, diodo damper. Incluye aislante de mica. Original

    COP$ 35.250
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  • COP$ 17.900 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 13 ns y tOFF 40 ns, RDS 0.077 Ω, VDS 100 V, ID 28 A, PW 150 W, diodo damper. Original

    COP$ 17.900
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  • COP$ 4.150 Fuera de stock

    Transistor Darlington NPN de propósito general. IC: 4 A, PTOT: 40 W, VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V. Original

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  • COP$ 9.550 En stock

    Transistor Darlington NPN para amplificación de propósito general y conmutación de baja velocidad. IC: 10 A, PTOT: 65 W, VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original

    COP$ 9.550
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  • COP$ 10.550 En stock

    Transistor Darlington PNP para amplificación de propósito general y conmutación de baja velocidad. IC: 10 A, PTOT: 65 W, VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original

    COP$ 10.550
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  • COP$ 3.457 En stock

    Transistor NPN de alto voltaje. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 6 V, fT: 50 MHz, TO-92. Original

    COP$ 3.457
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  • COP$ 2.400 En stock

    Transistor PNP de alto voltaje. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V, fT: 50 MHz, TO-92. Original

    COP$ 2.400
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  • COP$ 42.550 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 45 ns y tOFF 325 ns, VDS 900 V, ID 14 A, RDS 0.63 Ω, PW 275 W, diodo damper. Original

    COP$ 42.550
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  • COP$ 6.026 En stock

    Transistor NPN de alto voltaje para la amplificación de audio y barrido vertical en video. IC: 1 A, PTOT: 900 mW, VCEO: 160 V, VCBO: 160 V, VEBO: 6 V, fT: 100 MHz, Giant TO-92 . Original

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  • COP$ 6.247 En stock

    Transistor PNP de alto voltaje para la amplificación de audio y barrido vertical en video. IC: 1 A, PTOT: 900 mW, VCEO: 160 V, VCBO: 160 V, VEBO: 6 V, fT: 50 MHz, Giant TO-92 . Original

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  • COP$ 19.380 En stock

    Transistor de alta potencia NPN para amplificación de audio o conmutación de alta corriente. IC: 12 A, PD: 100 W, VCEO: 140 V, VCBO: 160 V, VEBO: 6 V, fT: 15 MHz, encapsulado TO-3P. Original

    COP$ 19.380
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  • COP$ 19.317 En stock

    Transistor de alta potencia PNP para amplificación de audio o conmutación de alta corriente. IC: 12 A, PD: 100 W, VCEO: 140 V, VCBO: 160 V, VEBO: 6 V, fT: 15 MHz, encapsulado TO-3P. Original

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