Transistores bipolares, FET, MOSFET, Darlington, unijuntura, entre otros.
Subcategories
Transistores de unión bipolar (BJT), incluyendo Darlingtons (BJT's en tándem)
Transistores bipolares de compuerta aislada ó IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)
Transistores de efecto de campo semiconductor de metal-óxido (MOSFET)
Transistores de unijuntura programables (PUT) y transistores de unijuntura (UJT)
MOSFET de potencia canal N. VDSS 200 V, RDS(on) 0.15 Ω, ID 18 A, PW 150 W. Original
Transistor MOSFET de potencia, canal N, VDS 400 V, RDS 1 Ω, ID 5.5 A, PW 74 W. Original
MOSFET de potencia canal N. VDSS 400 V, RDS(on) 0.55 Ω, ID 10 A, PW 134 W. Original
MOSFET power transistor, N-Channel, VDS 500 V, RDS 1.5 Ω, ID 4.5 A, PW 74 W. Original
MOSFET power transistor, N-Channel, VDS 500 V, RDS 0.85 Ω, ID 8 A, PW 125 W. Original
Transistor MOSFET de potencia, canal P, VDS 200 V, RDS 0.8 Ω, ID 6.5 A, PW 74 W
N-Channel MOSFET transistor. VDS 200 V, ID 65 A, PW 330 W, RDS(on) 19.7 mΩ, tON 33 ns and tOFF 21 ns, damper diode. Original
Transistor MOSFET de potencia, canal N, tecnología HEXFET™, alta velocidad tON 13 ns y tOFF 40 ns, VDS 60 V, ID 55 A, RDS 16.5 mΩ, PW 115 W, diodo damper. Original
Transistor MOSFET de potencia, canal N, tecnología HEXFET™, alta velocidad tON 14 ns y tOFF 33 ns, VDS 55 V, ID 51 A, RDS 13.9 mΩ, PW 80 W, diodo damper. Original
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = 35 V, VGS = -35 V, IGF = 50 mA, PD = 625 mW, 30 Ω. Encapsulado TO-92. Original
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = 35 V, VGS = -35 V, IGF = 50 mA, PD = 625 mW, 50 Ω. Encapsulado TO-92. Original
P-Channel JFET transistor, for amplification, Sample & Hold and switching, VDG = -30 V, VGS = 30 V, IGF = 50 mA, PD = 350 mW, 125 Ω. Original
N-Channel JFET transistor, for VHF/UHF amplification, oscillators and mixers, VDS 25 V, VGS 25 V, IGF 10 mA, PD 350 mW
Transistor PNP de bajo ruido, alta ganancia y alto voltaje para amplificación de audio. IC: 50 mA, PD: 500 mW, VCEO: 120 V, VCBO: 120 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-92. Original
Transistor NPN para audio y osciladores. IC: 150 mA, PD: 400 mW, VCEO: 50 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 80 MHz, encapsulado TO-92. Original
Transistor NPN para amplificación de audio y osciladores de alta frecuencia. IC: 150 mA, PD: 250 mW, VCEO: 50 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-92. Original
Fototransistor (Receptor), diámetro de 3mm, tipo NPN, luz infrarroja, filtro contra luz visible, 900 nm, 30 V, 100 mW. Original