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Transistores

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Transistores

Transistores bipolares, FET, MOSFET, Darlington, unijuntura, entre otros.

Transistores Hay 147 productos.

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  • BJT
    BJT

    Transistores de unión bipolar (BJT)

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    BJT Darlington

    Transistores de unión bipolar (BJT) Darlington (BJT's en tándem)

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    IGBT

    Transistores bipolares de compuerta aislada ó IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

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    Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)

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    Transistores de efecto de campo semiconductor de metal-óxido (MOSFET)

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    PUT / UJT

    Transistores de unijuntura programables (PUT) y transistores de unijuntura (UJT)

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    Transistor PNP de potencia. IC: 15 A, PD: 115 W, VCEO: 60 V, VCBO: 100 V, VEBO: 7 V, fT: 2.5 MHz, encapsulado TO-3. Original

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    Transistor NPN de propósito general de potencia. IC: 10 A, PD: 75 W, VCEO: 60 V, VCBO: 70 V, VEBO: 5 V, fT: 2 MHz, encapsulado TO-220. Original

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    Transistor NPN de media potencia y alto voltaje. IC: 0.5 A, PTOT: 20 W, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V. Original

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    Transistor PNP de media potencia y alto voltaje. IC: 0.5 A, PTOT: 20 W, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V. Original

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  • COP$ 179 En stock

    Versión SMD del 2N2222 / PN2222. Transistor NPN de propósito general. IC: 600 mA, PD: 225 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 75 V, VEBO: 6 V, fT: 300 MHz, encapsulado SMD SOT-23. Original

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    Versión SMD del 2N3904. Transistor NPN de propósito general. IC: 200 mA, PD: 350 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V, fT: 300 MHz, encapsulado SMD SOT-23. Original

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    Versión SMD del 2N3906. Transistor PNP de propósito general. IC: 200 mA, PD: 250 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 40 V, VEBO: 6 V, fT: 250 MHz, encapsulado SMD SOT-23. Original

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    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación RF y conmutación, VDG = 25 V, VGS = -25 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW. Original

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    Transistor NPN de propósito general. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 4 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-92. Original

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    Transistor Darlington NPN de propósito general. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 10 V, fT: 125 MHz, encapsulado TO-92.

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    Transistor NPN de bajo ruido, alta ganancia. IC: 100 mA, PD: 625 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 45 V, VEBO: 6.5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-92. Original

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    Transistor NPN de alto voltaje. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V, fT: 50 MHz, TO-92. Original

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  • COP$ 6.950 En stock

    Transistor NPN de alta frecuencia y bajo ruido para aplicaciones UHF. IC: 70 mA, PD: 500 mW, VCEO: 12 V, VCBO: 20 V, VEBO: 3 V, fT: 5 GHz, encapsulado TO-92. Original

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  • COP$ 17.300 En stock

    Transistor de germanio PNP para conmutación, IC: 150 mA, PD: 150 mW, VCBO: 25 V, VCES: 24 V, VEBO: 12 V, encapsulado TO-5. Original

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  • COP$ 27.750 En stock

    Transistor de germanio PNP para amplificación, IC: 1 A, PD: 650 mW, VCBO: 32 V, VEBO: 10 V, encapsulado TO-1. Original.

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  • COP$ 31.861 En stock

    Transistor de germanio NPN para conmutación, IC: 150 mA, PD: 150 mW, VCBO: 25 V, VCES: 24 V, VEBO: 12 V, encapsulado TO-5. Original

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    Transistor de germanio NPN para amplificación, IC: 1 A, PD: 650 mW, VCBO: 32 V, VEBO: 10 V, encapsulado TO-1. Original

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    Transistor NPN de propósito general. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V, fT: 250 MHz, encapsulado TO-92. Original

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